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Re: ベース接地の発振条件

 投稿者:n'Guin  投稿日:2020年12月31日(木)18時41分54秒
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  > No.28137[元記事へ]

flip-flopさんへのお返事です。

ご返事ありがとうございます。

> 発振の条件は「ループゲインが1で位相回転が180°以上」です。
> 正確にはゲイン・位相カーブを2次元表記した時に(1、180°)座標を内側に含む場合。

> ベース接地の場合はEとCは同位相だが電流ゲインは1以下なので理論的には発振しませんが
> ベース端子がL成分で共振した時にはエミッタ接地動作となり、1石のみでも発振します。
> (ワイヤでGNDに落としたつもりが浮遊インダクタンスで共振する)
> この場合は、対策として浮遊インダクタンスの共振を抑えるために抵抗を入れます。
ここまでわかりました。


> 同じベース接地でもコレクタ出力後にバッファで電流ゲインがあると、ストレー容量で
> 発振しやすくなります。
> コレクタ負荷が22kΩの2パラで11kΩの場合、ストレーが1pFだとこれが11kΩになる14.5MHz
> が発振条件です。(実際にはコレクタ負荷にも浮遊容量があるのでもう少し高くなる)
ここは、まだよく理解できていませんが、今回の場合、ほんのちょっとのストレーで発振してしまうことは、よくわかりました。

さまざまご教示いただいたことに、こころから感謝申し上げます。
良いお年をお迎えください。

http://schumann.jp

 
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