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Re: ちょっと気になったので

 投稿者:チェルト  投稿日:2021年 9月15日(水)10時56分17秒
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  > No.28460[元記事へ]

Kさんへのお返事です。

詳しいご説明ありがとうございました。

手持ちを探したら、ぺるけさん頒布の「2SA1931/2SC4881」が見つかりましたので、
それに換装しましたが、計測結果は同じでした。
ご説明いただいた内容で少し理解できました(基本的にその辺の知識があまりないのが悲しいです・・)


Kさんの実験では、「UF2010」が適正のようなので、これに取り替えてみます。

アイドリング電流に関しては、ご指摘で修正できたとしてそれがDCオフセットの収まりが悪い事への解決策になりますのでしょうか?

頂いたアドバイスに先だって、再度回路とパーツの見直しをします。

ありがとうございました。
これからも、ご面倒をおかけしますが、ご指導をお願いいたします。


> アイドリング電流が低い件について
>
> 「PowerICを2SB1274/2SD1913に変更しました」
>
> これがアイドリング電流が低い原因かと思わます。
> アイドリング電流はhFEではなくVbeで決まるからです。
>
> 「トランジスタ式ミニワッターPart5設計詳説」から抜粋しておきます。
>
> SEPP回路のバイアス兼温度補償回路としてシリコンダイオードを2本直列にしたものを使いました。シリコンダイオードの順電圧は、トランジスタのベース~エミッタ間電圧とほとんど同じ電圧、同じ温度特性を持っているため、出力段に適切なベースバイアスを与え、かつ出力段の熱暴走を防ぐためによく使われます。これが最も回路としてシンプルかつ廉価です。ところで、入手容易なシリコンダイオードの順電圧を実測してみると、以下のようになりました。
>
> シリコンダイオードの順電圧=1S2076A>PS2010>1N4007>10DDA10>UF2010>1NU41>1R5NU41
>
> このバイアス方式では、シリコンダイオードを2個直列にして得た電圧と、出力段の2個のトランジスタのベース~エミッタ間電圧の相性が重要です。さまざまな組み合わせで実験を繰り返したところ、UF2010と2SA1931/2SC4881の相性が最も良かったのでこの組み合わせとしました。
> この相性について、2SA1931/2SC4881以外のパワートランジスタで実験を行ったところ、2SA1869/2SC4935では90~125mA(0.68~0.94W)、2SA1488A/2SC3451Aでは165~210mA(1.24~1.58W)、2SA1451A/2SC3709Aでは225~310mA(1.69~2.33W)となりました。2SA1869/2SC4935は問題なく使えますが、あとの2つはバイアス回路を見直さなければなりません。
>
 
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