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Re: ちょっと気になったので

 投稿者:ニチコンFG  投稿日:2021年 9月18日(土)11時35分9秒
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  まぐなむさんへのお返事です。

Kさんでは有りませんが少し書き込ませてください。
あと話しが超ややこしくなるので2mV/℃だのICの1/10以上はIBで必要だの細かい話しは抜きにします。ご理解ください。

> (質問1)
> > 「PowerICを2SB1274/2SD1913に変更しました」
> > これがアイドリング電流が低い原因かと思わます。
> このトランジスタを用いるとアイドリング電流が低くなる理屈がわかりません。どうしてそう言えるのか教えてください。

もうすでに回答が書かれていると思うのですがそれについて説明させてください。

チェルトさんが最初に掲載した回路図にアンプの実測値を赤字で記入されている画像がありますのでそれから数値を拾って説明します。

考えをわかりやすくするため今回はNPN型の方だけで考えて数値は一部ザックリにします。

        ぺるけさん実測値(黒)    チェルトさん(赤字)2SD1913使用
(1)ベース電圧(IB)    0.7V           0.71V
(2)0.68Ωの降下電圧    0.1V           0.044V(9/14の実測値を流用)
(3)終段TRのVBE計算値   0.6V(0.7-0.1)       0.666V(0.71-0.044)

アイドリング電流計算   147mA(0.1/0.68)      64.7mA(0.044/0.68)

(1)のベース電圧(IB)はダイオードのVF(順方向電圧)と考えて差し支えないと思います。

(3)によりVFは固定であるため2SD1913の方がVBEが高く相対的にアイドリング電流が低くなると言う理屈になります。

じゃあ0.68Ωにかかる電圧を設計値(0.1V)にしたいときはVFが0.766Vあるダイオードを
使えば良いことになります。(0.666+0.1=0.766)


> ぺるけさんの記事には「これ以外では2SB1274/2SD1913が好結果を出しています。」とあり、部品入手のお助けページにあるミニワッター19V版(頒布終了)にも同トランジスタがリ

一部の終段TRの様にアイドリング電流が流れすぎて熱暴走の恐れがある石ではないのでこういう記述をしているのではないかと私は推測します。カットオフもせずAB級アンプとしては確実に動作しますから

> (質問2)
> > アイドリング電流はhFEではなくVbeで決まるからです。
>
> 私は、Ic = hFE x Ib と学びました。また、ぺるけさんの19V版ミニワッターの記事 『出力段のアイドリング電流の監視』の項にも「ダイオードの順電圧が高いほど、パワートランジスタのhFEが高いほどアイドリング電流値は大きくなります。」とあります。hFEと関係があると思っていたのですが、私の理解が間違っているのでしょうか?

質問1の返信内容の様にアイドリング電流設計において私はhFEは考慮したことがありません。前述のように簡単に計算できますのでhFEを持ち出すところがないのです。
正直ダーリントンなんかだとhFEが5000を超えますからどんな計算が必要なのか教えて欲しいほどです。


> (質問3)
> 「UF2010との相性が良かった」や「あとの2つのバイアス回路を見直さないといけない」は15V版の話だと思うのですが、19V版にも当てはまるのでしょうか?

何V版であろうと確認や変更見直しは必要と考えますし当てはまるります。
 
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